وبلاگ

نسل بعدی مدارهای الکترونیکی با جداسازی اتصال در دسترس خواهد بود


کاهش اندازه اتصال یا نوارهای فلزی که قسمتهای مختلف تراشه را به هم متصل می کند ، برای کوچک شدن مدارهای الکترونیکی مهم است و محققان اخیراً در این زمینه بسیار موفق عمل کرده اند.

تلاش محققان متمرکز بر تولید موادی است که توانایی جدا سازی این سیمها از یکدیگر را دارند. این مواد باید به عنوان سدی در انتقال این فلزات در نیمه رسانا عمل کنند و از نظر حرارتی ، شیمیایی و مکانیکی پایدار باشند.

اگرچه چندین مطالعه در سالهای اخیر مواد مناسبی را یافته است ، اما به دلیل خواص مکانیکی ضعیف یا پایداری شیمیایی کم ، با موفقیت در اتصال متصل نشده اند.

محققان موسسه برجسته گرافن در ICN2 در اسپانیا ، دانشگاه کمبریج در انگلستان ، انستیتوی ملی علوم و فناوری در اولسان (UNIST) و موسسه فناوری پیشرفته سامسونگ در کره جنوبی از قبل دارای فیلم های فوق باریک نیترید بور آمورف (-BN) هستند. با خواص دی الکتریک بسیار کم و ولتاژ شکست بالا تهیه و آزمایش شده است.

این ماده جدید می تواند به گزینه ای مناسب برای جداسازی اتصال در نسل بعدی مدارهای الکترونیکی تبدیل شود. به گفته محققان ، نیترید بور آمورف نامزد خوبی برای الکترونیک قدرتمند است:

“مطالعات نشان می دهد که نیترید بور آمورف دارای ویژگی های دی الکتریک کم برای الکترونیک با قدرت بالا است.”

طبق این مقاله منتشر شده در ژورنال Nature ، لایه های کامپوزیتی بی شکل نیترید بور با ضخامت 3 نانومتر از یک بستر سیلیکون همراه با رسوب بخار شیمیایی پلاسما استفاده می کنند. نتایج نشان داد که یک ثابت دی الکتریک بسیار کم ، بسیار نزدیک به 1 از این ماده است.

در آزمایش های دشوار ، محققان دریافتند که این ماده می تواند از انتقال اتم ها از اتصال به عایق جلوگیری کند. این ویژگی ها ، همراه با ولتاژ شکست بالا ، a-BN را به گزینه ای موثر برای کاربردهای الکترونیکی تبدیل می کنند. با تحقیقات بیشتر در مورد این مطالب ، انتظار می رود شاهد پیشرفت چشمگیری در دنیای الکترونیک باشیم.


منبع: digikala affiliate

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا
بستن